Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 6219-1998
Datum vydání: 17.11.1998
Stran: 0
Země: Čínská technická norma