Neplatné | Vydaná: 01.01.1992

ASTM F1153-92(1997) Neplatné

Standard Test Method for Characterization of Metal-Oxide-Silicon (MOS) Structures by Capacitance-Voltage Measurements

Dostupné jazyky: Anglicky

Dostupné prevedenie: Online zabezpečené PDF

od 77.80 EUR zobraziť na eshopu

Podrobné informácie

Označenie: ASTM F1153-92(1997)

Dátum vydania: 01.01.1992

Stránok: 7

Poznámka: Neplatné

Krajina: Americká technická norma

Kde kúpiť?

Môžete zakúpiť na eshop.normservis.sk

Anotácia

Keywords:
Average carrier concentration, Calibration-semiconductor instrumentation, Capacitance, Contamination-semiconductors, Defects-semiconductors, Dielectric constant (permittivity)/dissipation factor, Doping concentration, Electrical conductors-semiconductors, Electromagnetic interference, Equilibrium capacitance, Fixed oxide charge, Flatband capacitance/voltage, Interfacial tension, Inversion, Meal-oxide-silicon (MOS) structures, Minimum depletion layer capacitance

Populárna vydavatelia

celý katalóg