Neplatná | Vydána: 01.01.1992

ASTM F1153-92(1997) Neplatná

Standard Test Method for Characterization of Metal-Oxide-Silicon (MOS) Structures by Capacitance-Voltage Measurements

Dostupné jazyky: Anglicky

Dostupné provedení: Online zabezpečené PDF

od 77.80 EUR zobrazit na eshopu

Podrobné informace

Označení: ASTM F1153-92(1997)

Datum vydání: 01.01.1992

Stran: 7

Poznámka: Neplatná

Země: Americká technická norma

Kde koupit?

Můžete zakoupit na eshop.normservis.cz

Anotace

Keywords:
Average carrier concentration, Calibration-semiconductor instrumentation, Capacitance, Contamination-semiconductors, Defects-semiconductors, Dielectric constant (permittivity)/dissipation factor, Doping concentration, Electrical conductors-semiconductors, Electromagnetic interference, Equilibrium capacitance, Fixed oxide charge, Flatband capacitance/voltage, Interfacial tension, Inversion, Meal-oxide-silicon (MOS) structures, Minimum depletion layer capacitance

Populární vydavatelé

celý katalog