Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Standard Test Method for Measuring Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry (Withdrawn 2003)
Dostupné jazyky: Anglicky
Dostupné prevedenie: Online zabezpečené PDF
Označenie: ASTM F1366-92(2002)
Dátum vydania: 01.01.1992
Stránok: 5
Poznámka: Neplatné
Krajina: Americká technická norma