Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 24580-2009
Dátum vydania: 30.10.2009
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma