Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 24580-2009
Datum vydání: 30.10.2009
Stran: 0
Země: Čínská technická norma