Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Strana 605
Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method
Dostupné jazyky: Anglicky, Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
Dostupné jazyky: Anglicky, Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Determination of conductivity type in germanium by thermoelectromotive method
Dostupné jazyky: Anglicky, Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Test methods of crystalline defects in silicon by preferential etch techniques
Dostupné jazyky: Anglicky, Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Method of measurement of etch pit density of germanium crystal
Dostupné jazyky: Anglicky, Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer
Dostupné jazyky: Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers
Dostupné jazyky: Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Visual inspection for silicon wafers with specular surfaces
Dostupné jazyky: Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Test method for determination of impurity concentrations in silicon crystal by photoluminescence spectroscopy
Dostupné jazyky: Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
General rules for chemical analysis of copper and copper alloys
Dostupné jazyky: Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné