Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices. Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence.
Dostupné jazyky: Anglicky
Dostupné provedení: PDF - okamžité stažení, Tištěné
Označení: BS IEC 63068-4:2022
Datum vydání: 07.09.2022
Stran: 28
Země: Britská technická norma