Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Epitaxial structures. Method for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference
Verfügbare Sprachen: Russisch, Englisch und Russisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
Bezeichnung: GOST R 71334-2024
Ausgabedatum: 01.03.2025
Seiten: 8
Land: Russische technische Norm