Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Epitaxial structures. Method for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference
Dostupné jazyky: Rusky, Anglicky a rusky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GOST R 71334-2024
Datum vydání: 01.03.2025
Stran: 8
Země: Ruská technická norma