Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Epitaxial structures. Method for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference
Dostupné jazyky: Rusky, Anglicky a rusky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GOST R 71334-2024
Dátum vydania: 01.03.2025
Stránok: 8
Krajina: Ruská technická norma