Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Epitaxial structures. Method for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference
Available languages: English and Russian, Russian
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: GOST R 71334-2024
Publication date: 01/03/2025
Pages: 8
Country: Russian technical standard