Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Stránka 3355
Film and hybrid integrated circuits - Part 4: Customer information, product assessment level schedules and blank detail specification
Dostupné prevedenie: Tlačené
Film and hybrid integrated circuits - Part 5: Procedure for qualification approval
Dostupné prevedenie: Tlačené
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
Dostupné jazyky: Anglicky (v českom jazyku len titulná strana)
Dostupné prevedenie: Tlačené
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
Dostupné jazyky: Anglicky (v českom jazyku len titulná strana)
Dostupné prevedenie: Tlačené
Směšovací polovodičové diody pro velmi vysoké frekvence. Metody měření šumového poměru a normovaného šumového čísla.
Dostupné prevedenie: Tlačené
Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
Dostupné jazyky: Anglicky (v českom jazyku len titulná strana)
Dostupné prevedenie: Tlačené
Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
Dostupné jazyky: Anglicky (v českom jazyku len titulná strana)
Dostupné prevedenie: Tlačené