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GB - Chinesische nationale Normen
Seite 4201
GB/T 42709.19-2023 (06.08.2023)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 19: Electronic compasses
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GB/T 42709.2-2026 (30.04.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 2: Tensile testing method of thin film materials
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GB/T 42709.21-2026 (30.07.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 21: Test method for Poisson""s ratio of thin film MEMS materials
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GB/T 42709.22-2026 (30.07.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 22: Electromechanical tensile test method for conductive thin films on flexible substrates
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GB/T 42709.29-2026 (28.08.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 29: Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin films under room temperature
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GB/T 42709.3-2026 (30.04.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 3: Thin film standard test piece for tensile testing
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GB/T 42709.35-2026 (30.07.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 35: Test method of electrical characteristics under bending deformation for flexible electro-mechanical devices
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GB/T 42709.36-2026 (30.07.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 36: Environmental and dielectric withstand test methods for MEMS piezoelectric thin films
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GB/T 42709.38-2026 (30.07.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 38: Test method for adhesion strength of metal powder paste in MEMS interconnection
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GB/T 42709.40-2026 (30.07.2026)
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 40: Test methods of MEMS inertial shock switch threshold
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