DIN - German national standards

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 5: Guideline for the selection of materials and testing of their suitability for apparatus for sampling and sample preparation for the determination of trace elements in the range of micrograms per kilogram and nanograms per kilogram.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 5: Leitlinie zur Auswahl von Werkstoffen und Prüfung ihrer Eignung für Geräte zur Probenahme und Probenvorbereitung für die Elementspuren-Bestimmung im Bereich von Mikrogramm je Kilogramm und Nanogramm je Kilogramm.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 6: Determination of 36 elements in a high-purity ammonium fluoride solution (NH4; F) and in etching mixtures of high-purity ammonium fluoride solution containing hydrofluoric acid.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 6: Bestimmung von 36 Elementen in hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung (NH4; F) und Ätzmischungen aus hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung mit Flusssäure.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 7: Determination of 31 elements in high-purity hydrochloric acid by ICP-MS.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 8: Determination of 33 elements in high-purity sulfuric acid by ICP-MS.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 8: Bestimmung von 33 Elementen in hochreiner Schwefelsäure mittels ICP-MS.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 1: Microscopic determination of particles.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 1: Mikroskopische Teilchenbestimmung.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 2: Determination of particles by optical particle counters.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 2: Teilchenbestimmung mit optischen Durchflusspartikelzählern.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 1: Silicium monocrystals, gravimetric method.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen - Teil 1: Silicium-Einkristalle, Gravimetrisches Verfahren.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 2: Silicon-dioxide coating, optical method.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen - Teil 2: Siliciumdioxid-Schichten, Optisches Verfahren.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1: Determination of coating thickness with optical methods.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Messverfahren.)

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Testing of materials for semiconductor technology - Methods for the characterisation photoresists - Part 2: Determination of photosensitivity of positive photoresists.
(Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von Positiv-Fotolacken.)

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