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JIS - Japanische technische Standards
Seite 335
JIS C5630-1:2017 (21.03.2017)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 1: Terms and definitions
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JIS C5630-12:2014 (20.02.2014)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 12: Bending fatigue testing method of thin film materials using resonant vibration of MEMS structures
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JIS C5630-13:2014 (20.02.2014)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 13: Bend-and shear-type test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures
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JIS C5630-18:2014 (22.12.2014)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 18: Bend testing methods of thin film materials
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JIS C5630-19:2014 (22.12.2014)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 19: Electronic compasses
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JIS C5630-2:2009 (20.03.2009)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices-- Part 2: Tensile testing method of thin film materials
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JIS C5630-20:2015 (20.11.2015)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 20: Gyroscopes
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JIS C5630-26:2017 (20.10.2017)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures
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JIS C5630-28:2020 (23.03.2020)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices -- Part 28: Performance testing method of vibration-driven MEMS electret energy harvesting devices
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JIS C5630-3:2009 (20.03.2009)
Semiconductor devices -- Micro-electromechanical devices-- Part 3: Thin film standard test piece for tensile testing
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